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CAS:10366-05-9| Die Anwendung von Parylene C im Sensor

2024-01-25

Produktname : Parylene C

CAS : 10366-05-9

Summenformel : C 16 H 14 Cl 2

Artikel-Nr .: E0016

Strukturformel :


 

Produkteinführung

Parylene C wird hauptsächlich als hochreine Passivierungsschicht und dielektrische Schicht in der Mikroelektronik und Halbleitertechnik eingesetzt. Es kann auch als Passivierungs-, Schutz-, Schmier- und andere Beschichtung in der Mikroelektronik verwendet werden; Darüber hinaus kann es auch als Isolations-, Verfestigungs- und Verstärkungsmaterial im biomedizinischen Korrosionsschutz und beim Schutz kultureller Relikte verwendet werden.

Anwendung von Parylene C

OECT ist ein Gerät mit drei Anschlüssen, das auf organischen Halbleitern basiert und häufig in der markierungsfreien Biosensorik wie Dopamin, Adrenalin, Ascorbinsäure, Adenosintriphosphat und der Zellaktivitätserkennung eingesetzt wird. Organische elektrochemische Transistoren können aufgrund der Verwendung organischer Halbleiter, die über hervorragende Ionen- und Elektronenleitungseigenschaften verfügen, bei Verwendung von Elektrolyten als dielektrische Schichten eine große Kapazität bilden und so die Erfassungssignale effektiv verstärken. Ihre extrem niedrige Antriebsspannung, gute mechanische Flexibilität und Biokompatibilität ermöglichen es ihnen, Dies macht sie von großer Forschungsbedeutung bei der Erfassung biologischer Signale, einschließlich bioelektrischer und biochemischer Signale. Die bestehende Technologie weist Probleme mit komplexen Prozessen und der Notwendigkeit einer weiteren Verbesserung der Sensorempfindlichkeit auf. Daher stellt das Patent CN116953041A einen hochempfindlichen und schnell reagierenden pH-Sensor und seine Arbeitsmethode bereit. Die spezifische Vorbereitungsmethode ist wie folgt:

(1) Bereitstellen eines Substrats, Aufbringen einer Isolationsschicht auf das Substrat und Aufbringen einer Klebeschicht auf der Isolationsschicht, um Source, Drain und Gate weiter auf der Oberfläche der Isolationsschicht zu haften. Nachdem die Abscheidung von Source, Drain und Gate abgeschlossen ist, wird ein Mikroelektrodenchip vorbereitet und eine Passivierungsschicht wird weiter auf die Oberfläche des Mikroelektrodenchips als anfängliches Bauelement aufgetragen; Mikroelektrodenchips umfassen starre Mikroelektrodenchips oder flexible Mikroelektrodenchips mit Kanaldurchgangslöchern, die im Inneren der Mikroelektrodenchips ausgebildet sind;

(2) Unter Verwendung von 3,4-Ethylendioxythiophen und einer ionischen Flüssigkeit als Elektrolyten wird ein Wechselstrom an das ursprüngliche Gerät angelegt und durch Elektropolymerisation auf dem Kanalkontakt des Mikroelektrodenchips unter Verwendung des Wechselstrom-Elektroabscheidungsverfahrens eine organische Halbleiterschicht gebildet;

(3) Unter Verwendung von Platin als Gegenelektrode und einer Standardkalomelelektrode als Referenzelektrode wird das Gate des in Schritt (2) erhaltenen Geräts als Arbeitselektrode verwendet. Das Tor wird mit PEDOT: BTB-Film auf dem in Schritt (2) erhaltenen Gerät modifiziert. Nach der Modifikation erhält man einen hochempfindlichen und schnell reagierenden pH-Sensor.

Das Material der Passivierungsschicht ist Parylene C , Polyimid, Benzocyclobuten, Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid. 

Das Verfahren der vorliegenden Erfindung ist einfach, effizient und leicht zu implementieren. Die organische Halbleiterschicht wird durch galvanische Wechselstromabscheidung hergestellt und das Gate wird durch zyklische Voltammetrie modifiziert. Der vorbereitete pH-Sensor weist unter bestimmten Arbeitsmethoden eine hohe Empfindlichkeit und kurze Reaktionszeit auf und bietet breite Anwendungsaussichten in tragbaren elektronischen Geräten.


Verweise

CN116953041A Ein hochempfindlicher und schnell reagierender pH-Sensor und seine Arbeitsweise.

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